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MDot® 導電性銀ペースト配合材料

各種導電性ペースト（配線/電極形成、ダイアタッチ）の焼結助剤として機能します。

導体ペースト（Ag系）

窒化アルミニウム（AlN）を含む各種基板で高密着・高信頼性を実現。品番によって、焼成温度600℃～900℃での焼成が可能です。

導体ペースト（Cu系）

窒化アルミニウム（AlN）を含む各種基板で高密着・高信頼性を実現。品番によって、焼成温度600℃～900℃での焼成が可能です。

ビア充填基板

セラミックス基板のビアに銅ペーストを充填した半加工品です。高導電無収縮充填工法により、様々なビアへの均一な充填が可能です。

積層銅印刷基板（TPC)

スクリーン印刷で各種基板に厚膜の銅パターンを形成します。段差構造にも対応可能で、基板と強固に接合し、高い耐久性と安定性を発揮します。

MDot® プリンテッドエレクトロニクス向け導電性銀ペースト・インク

導電性に優れ、低温での印刷回路作製が可能です。

MDot® 受動部品用導電性銀ペースト

タンタルコンデンサ電極用途、リードフレームとの接着用途の熱硬化型導電性ペーストです。

MDot® 半導体接合用銀シンタリングペースト

低温焼結可能な、高熱伝導性で高接合信頼性のシンタリングペーストです。

CuNi系 抵抗ペースト

1～10Ωの抵抗領域に対応可能な卑金属系の厚膜抵抗ペーストです。

LaB6（ホウ化ランタン）系 抵抗ペースト

3～1000Ωの抵抗領域に対応可能な卑金属系の厚膜抵抗ペーストです。

ガラスペースト

300℃～400℃の高発熱に耐える保護膜を形成し、チップ抵抗器の抵抗体の酸化を効果的に防止します。

活性金属ペースト（CuAgTi系）

セラミックスへの密着力をより高めることが可能な厚膜ペーストです。密着しにくい窒化ケイ素（Si₃N₄）にも厚膜形成可能です。

活性金属ペースト（CuAgTi系）

セラミックスへの密着力をより高めることが可能な厚膜ペーストです。密着しにくい窒化ケイ素（Si₃N₄）にも厚膜形成可能です。

MDot® 半導体接合用銀シンタリングペースト

低温焼結可能な、高熱伝導性で高接合信頼性のシンタリングペーストです。

ビア充填基板

セラミックス基板のビアに銅ペーストを充填した半加工品です。高導電無収縮充填工法により、様々なビアへの均一な充填が可能です。

導体ペースト（Ag系）

窒化アルミニウム（AlN）を含む各種基板で高密着・高信頼性を実現。品番によって、焼成温度600℃～900℃での焼成が可能です。

導体ペースト（Cu系）

窒化アルミニウム（AlN）を含む各種基板で高密着・高信頼性を実現。品番によって、焼成温度600℃～900℃での焼成が可能です。

ガラスペースト

300℃～400℃の高発熱に耐える保護膜を形成し、チップ抵抗器の抵抗体の酸化を効果的に防止します。

CuNi系 抵抗ペースト

1～10Ωの抵抗領域に対応可能な卑金属系の厚膜抵抗ペーストです。

LaB6（ホウ化ランタン）系 抵抗ペースト

3～1000Ωの抵抗領域に対応可能な卑金属系の厚膜抵抗ペーストです。

積層銅印刷基板（TPC)

スクリーン印刷で各種基板に厚膜の銅パターンを形成します。段差構造にも対応可能で、基板と強固に接合し、高い耐久性と安定性を発揮します。

活性金属ペースト（CuAgTi系）

セラミックスへの密着力をより高めることが可能な厚膜ペーストです。密着しにくい窒化ケイ素（Si₃N₄）にも厚膜形成可能です。

熱プレスクッション材（フッ素コートガラスクロス仕様）

フッ素コートガラスクロスを表層材として採用。優れた耐熱性と非粘着性を備えており、プリプレグ樹脂や接着剤の付着を抑制することで、安定したプレス成形を実現します。

熱プレスクッション材（アラミド繊維クロス仕様）

アラミド繊維クロスを表層材に採用。高い強度と耐摩耗性に加え、適度なしなやかさを備えており、プレス時の微細な凹凸や段差に追従して圧力を均一に伝達します。