ビア充填ソリューション

ビア充填基板

高導電・無収縮タイプの充填工法により、さまざまなビア形状に対して銅ペーストや銀ペーストを均一に充填できます。

通信関連のセラミックスパッケージで多数の採用実績があり、高信頼性と高品質に定評があります。

当社では、各種基板にビア充填加工を施した半加工品として提供しており、穴あけ加工、ビア充填、研磨まで一貫した対応が可能です。加工工程をまとめて任せられるため、工程管理の簡素化や品質の安定化にも貢献します。

カタログ：製品一覧表

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製品詳細

特長

高信頼・高機能なビア充填構造
ボイドや隙間の少ない均一なビア充填により、基板との高い密着性を実現します。電気的・機械的信頼性に優れ、高密度配線や高い放熱性能が求められる用途にも対応します。

実装性を高める平滑な基板表面
基板表面を平滑に仕上げることができるため、充填ビア直上への部品実装が可能です。これにより、実装設計の自由度が向上し、基板スペースを有効に活用できます。

環境規制への対応
RoHS2指令に適合しており、環境負荷を抑えた材料で安心してご使用いただけます。

仕様

		セラミックス基板			ガラス基板		有機基板
基板	基板材質	AlN、Al₂O₃、SiN			石英ガラス、無アルカリガラス		ガラスエポキシ
基板	サイズ、板厚	2×2～4.5×4.5 inch角、0.2～1.0 mm			2×2～4.5×4.5 inch角、0.2～1.0 mm		2×2～4.5×4.5 inch角、0.2～1.0 mm
ビア	充填金属種	Ag	Cu	Ag-Cu合金	Ag	Cu	Ag
	ビア径	Φ0.05～1.0 mm	Φ0.05～2.0 mm	Φ0.05～1.0 mm	Φ0.05～0.5 mm	Φ0.05～0.5 mm	Φ0.05～0.5 mm
	焼成温度	～900 ℃	～900 ℃	～900 ℃	500～600 ℃	400～800 ℃	200～300 ℃
	焼成雰囲気	Air	N₂	N₂	Air	N₂	Air
	比抵抗	3～4 µΩ・cm	5～7 µΩ・cm	10 µΩ・cm	2～4 µΩ・cm	3～6 µΩ・cm	5～8 µΩ・cm
	アスペクト比	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～6.5	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0
非研磨	充填部の平坦性	＜±30 µm	＜±30 µm	―	＜±20 µm	＜±20 µm	＜±20 µm
LAP研磨	推奨研磨代※	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm
LAP研磨	充填部の平坦性	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm
POL研磨	推奨研磨代※	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm
POL研磨	充填部の平坦性	＜±2 µm	＜±1 µm	＜±2 µm	―	―	―
ビア断面写真
ビア表面写真